型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
IPB015N04LGATMA1 | INFINEON |
完全替代 |
Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB015N04LGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB015N04N G | INFINEON |
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OptiMOS™ 40V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器和 | |
IPB015N04NG | INFINEON |
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OptiMOS?3 Power-Transistor | |
IPB015N04NG | UMW |
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种类:N-Channel;漏源电压(Vdss):40V;持续漏极电流(Id)(在25°C时 | |
IPB015N04NGATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 120A I(D), 40V, 0.0015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB015N06NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f | |
IPB015N08N5 | INFINEON |
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Infineon’s OptiMOS™ 5 80V industrial power MO | |
IPB016N06L3 G | INFINEON |
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OptiMOS ™ 60V 是交换模式电源 (SMPS)中的同步整流的理想之选,例如服务器 | |
IPB016N06L3G | INFINEON |
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OptiMOSâ¢3 Power-Transistor | |
IPB016N08NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f |