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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 560 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMX9T110 | ROHM |
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General purpose transistor (isolated dual transistors) |
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| IMXHANTROWP | ETC |
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i.MX Applications Processors with Hantro＇s Mu |
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| IMXPWSWP_D | ETC |
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i.MX Application Processor Creating Power with Stamina White Paper White Paper |
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| IMYH200R012M1H | INFINEON |
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The CoolSiC™ 2000 V 12 mΩ SiC MOSFET in TO-24 |
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| IMYH200R024M1H | INFINEON |
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The CoolSiC™ 2000 V 24 mΩ SiC MOSFET in TO-24 |
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| IMYH200R050M1H | INFINEON |
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The CoolSiC™ 2000 V 50 mΩ SiC MOSFET in TO-24 |
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| IMYH200R075M1H | INFINEON |
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The CoolSiC™ 2000 V 75 mΩ SiC MOSFET in TO-24 |
|
| IMYH200R100M1H | INFINEON |
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The CoolSiC™ 2000 V 100 mΩ SiC MOSFET in TO-2 |
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| IMZ1 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
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| IMZ120R030M1H | INFINEON |
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IMZ120R030M1H是采用TO247-4封装的1200 V、30 mΩCoolSiC |
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