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| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.83 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | NPN/PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMZ2A_09 | UTC |
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POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
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| IMZ2A_15 | UTC |
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POWER MANAGEMENT |
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| IMZ2A-AG6-R | UTC |
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POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
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| IMZ2A-AL6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
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| IMZ2AG-AG6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
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| IMZ2AG-AL6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
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| IMZ2AL-AG6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
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| IMZ2AL-AL6-R | UTC |
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POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
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| IMZ2AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
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| IMZ2AT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
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