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英飞凌 - INFINEON | 开关栅DC-DC转换器双极性晶体管功率因数校正二极管栅极 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
16页 | 1436K | |
描述 | ||
采用TO247-4封装的1200V 14mΩ??CoolSiCTM?碳化硅MOSFET基于先进的沟槽工艺,该工艺经过优化兼具性能与可靠性。与IGBT和MOSFET等传统的硅(Si)基器件相比,SiC MOSFET具有诸多优势,例如1200 V开关器件中最低的栅极电荷和器件电容、体二极管没有反向恢复损耗、关断损耗受温度影响小以及没有拐点电压的导通特性。因此,CoolSiC?碳化硅 MOSFET非常适用于硬开关和谐振开关拓扑结构,如功率因素校正(PFC)电路、双向拓扑以及DC-DC转换器或DC-AC逆变器。 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IMZA120R020M1H | INFINEON |
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采用TO247-4封装的1200V 20mΩ CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于 | |
IMZA120R030M1H | INFINEON |
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The CoolSiC? 1200 V, 30 mΩ SiC MOSFET in TO-2 | |
IMZA120R040M1H | INFINEON |
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采用TO247-4封装的1200V 40mΩ? CoolSiCTM 碳化硅MOSFET基于 | |
IMZA65R015M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 15 mΩ G2 in a TO-2 | |
IMZA65R020M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 20 mΩ G2 in a TO-2 | |
IMZA65R027M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 | |
IMZA65R030M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 | |
IMZA65R039M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 | |
IMZA65R040M2H | INFINEON |
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The CoolSiC? MOSFET 650 V, 40 mΩ G2 in a TO-2 | |
IMZA65R048M1H | INFINEON |
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CoolSiC™ MOSFET 技术通过最大限度地发挥碳化硅强大的物理特性,从而增强了设备 |