5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.23 |
| Is Samacsys： | N | 最大集电极电流 (IC)： | 0.15 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 180 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMZ2AG-AL6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
|
| IMZ2AL-AG6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
|
| IMZ2AL-AL6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
|
| IMZ2AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| IMZ2AT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| IMZ3 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
|
| IMZ3A | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 100MA I(C) | SO |
|
| IMZ3AT108 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| IMZ3AT109 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| IMZ3AT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
