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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.75 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN SILVER COPPER | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMZ3 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
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| IMZ3A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 100MA I(C) | SO |
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| IMZ3AT108 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
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| IMZ3AT109 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| IMZ3AT110 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| IMZ4 | ROHM |
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General purpose transistor (dual transistors) |
|
| IMZ4T108 | ROHM |
获取价格 |
General purpose transistor (dual transistors) |
|
| IMZ88 | UTC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR |
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| IMZ88_11 | UTC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE DUAL TRANSISTOR) |
|
| IMZ88_15 | UTC |
获取价格 |
GENERAL PURPOSE |
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