5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.78 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 40 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e1 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 6 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | NPN AND PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN SILVER COPPER |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 0.4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMZ1AT110 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon, |
|
| IMZ1AT148 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon |
|
| IMZ2 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | PAIR | COMPLEMENTARY | 40V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SO |
|
| IMZ2A | ROHM |
获取价格 |
Power management (dual transistors) |
|
| IMZ2A | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTORS |
|
| IMZ2A | PANJIT |
获取价格 |
COMPLEMENTARY DUAL GENERAL PURPOSE AMPLIFIER TRANSIS |
|
| IMZ2A_09 | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
|
| IMZ2A_15 | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT |
|
| IMZ2A-AG6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
|
| IMZ2A-AL6-R | UTC |
获取价格 |
POWER MANAGEMENT DUAL TRANSISTOR) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
