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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IMZ120R030M1H | INFINEON |
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IMZ120R030M1H是采用TO247-4封装的1200 V、30 mΩCoolSiC |
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| IMZ120R045M1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IMZ120R060M1H | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IMZ120R090M1H | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IMZ120R140M1H | INFINEON |
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IMZ120R140M1H是采用TO247-4封装的1200 V、140 mΩ CoolS |
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| IMZ120R220M1H | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IMZ120R350M1H | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 4.7A I(D), 1200V, 0.598ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon C |
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| IMZ1A | ROHM |
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General purpose transistor (dual transistors) |
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| IMZ1A | SWST |
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小信号晶体管 |
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| IMZ1AFRAT108 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, |
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