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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.56 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 79 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 650 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 4.8 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247 | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 230 W |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 204 ns | 标称接通时间 (ton)： | 36 ns |
| VCEsat-Max： | 1.7 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IKW40N65ES5_15 | INFINEON |
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high Speed soft switching IGBT with full current rated RAPID 1 diode |
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| IKW40N65ET7 | INFINEON |
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TRENCHSTOP™ IGBT7 |
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| IKW40N65F5 | INFINEON |
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650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation |
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| IKW40N65F5AXKSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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| IKW40N65H5 | INFINEON |
获取价格 |
650V DuoPack IGBT and Diode High speed switching series fifth generation |
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| IKW40N65H5AXKSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 74A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, TO-247, |
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| IKW40N65RH5 | INFINEON |
获取价格 |
IGBT TRENCHSTOP™ 5;Silicon Carbide Schottky D |
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| IKW40N65WR5 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
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| IKW40N65WR5_15 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
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| IKW40N65WR5_16 | INFINEON |
获取价格 |
Reverse conducting IGBT with monolithic body diode |
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