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HGT1S10N120BNS

更新时间： 2024-02-05 03:04:18
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 电动机控制栅瞄准线双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 296K
描述
IGBT，1200V，NPT

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HGT1S10N120BNS 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Transferred
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.27其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：35 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：140 ns门极发射器阈值电压最大值：6.8 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：198 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：15 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：330 ns
标称接通时间 (ton)：32 ns

HGT1S10N120BNS 数据手册

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HGTG10N120BN, HGTP10N120BN, HGT1S10N120BNS  
o
Electrical Specifications  
PARAMETER  
T
= 25 C, Unless Otherwise Specified (Continued)  
C
SYMBOL  
TEST CONDITIONS  
MIN  
TYP  
23  
MAX  
26  
UNITS  
ns  
o
Current Turn-On Delay Time  
Current Rise Time  
t
IGBT and Diode at T = 25 C  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
d(ON)I  
J
I
= 10A  
CE  
t
11  
15  
ns  
rI  
d(OFF)I  
V
V
= 960V  
= 15V  
CE  
GE  
Current Turn-Off Delay Time  
Current Fall Time  
t
165  
100  
0.32  
0.85  
0.8  
21  
210  
140  
0.4  
1.1  
1.0  
25  
ns  
R
= 10Ω  
G
L = 2mH  
Test Circuit (Figure 18)  
t
ns  
fI  
Turn-On Energy (Note 5)  
Turn-On Energy (Note 5)  
Turn-Off Energy (Note 4)  
Current Turn-On Delay Time  
Current Rise Time  
E
E
E
mJ  
mJ  
mJ  
ns  
ON1  
ON2  
OFF  
o
t
IGBT and Diode at T = 150 C  
J
d(ON)I  
I
= 10A  
CE  
t
11  
15  
ns  
rI  
d(OFF)I  
V
V
= 960V  
= 15V  
CE  
GE  
Current Turn-Off Delay Time  
Current Fall Time  
t
190  
140  
0.4  
1.75  
1.1  
-
250  
200  
0.5  
2.3  
1.4  
0.42  
ns  
R
= 10Ω  
G
L = 2mH  
Test Circuit (Figure 18)  
t
ns  
fI  
Turn-On Energy (Note 5)  
Turn-On Energy (Note 5)  
Turn-Off Energy (Note 4)  
E
E
E
mJ  
mJ  
mJ  
ON1  
ON2  
OFF  
o
Thermal Resistance Junction To Case  
NOTES:  
R
C/W  
θJC  
4. Turn-Off Energy Loss (E  
) is defined as the integral of the instantaneous power loss starting at the trailing edge of the input pulse and ending  
OFF  
at the point where the collector current equals zero (I  
= 0A). All devices were tested per JEDEC Standard No. 24-1 Method for Measurement  
CE  
of Power Device Turn-Off Switching Loss. This test method produces the true total Turn-Off Energy Loss.  
5. Values for two Turn-On loss conditions are shown for the convenience of the circuit designer. E is the turn-on loss of the IGBT only. E  
ON1  
ON2  
is the turn-on loss when a typical diode is used in the test circuit and the diode is at the same T as the IGBT. The diode type is specified in  
J
Figure 18.  
Typical Performance Curves Unless Otherwise Specified  
60  
50  
40  
30  
20  
35  
30  
25  
20  
15  
10  
5
V
= 15V  
GE  
o
T
= 150 C, R = 10Ω, V = 15V, L = 400µH  
J
G
GE  
10  
0
0
0
200  
400  
600  
800  
1000  
1200  
1400  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
o
T
, CASE TEMPERATURE ( C)  
V
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)  
CE  
C
FIGURE 1. DC COLLECTOR CURRENT vs CASE  
TEMPERATURE  
FIGURE 2. MINIMUM SWITCHING SAFE OPERATING AREA  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
HGTG10N120BN, HGTP10N120BN, HGT1S10N120BNS Rev. B1  
1234567...10

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与HGT1S10N120BNS相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
HGT1S10N120BNS9A ETC TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 17A I(C) | TO-263AB

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