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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 2400 ns | 标称接通时间 (ton)： | 1100 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8G103 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT8G103(2-7B5C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B5C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G103(2-7B6C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B6C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G103(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,400V V(BR)CES,8A I(C),TO-252AA, Insulated Gate BIP Trans |
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| GT8G103_06 | TOSHIBA |
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STROBE FLASH APPLICATIONS |
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| GT8G121 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT8G121(2-7B5C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B5C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G121(2-7B6C) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B6C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G121(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,400V V(BR)CES,8A I(C),TO-252AA |
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| GT8G121_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
STROBE FLASH APPLICATIONS |
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