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GT8G101

更新时间: 2024-11-20 19:52:59
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
15页 572K
描述
TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor

GT8G101 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84最大集电极电流 (IC):8 A
集电极-发射极最大电压:400 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码:R-PSIP-T3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):2400 ns标称接通时间 (ton):1100 ns
Base Number Matches:1

GT8G101 数据手册

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