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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | 2-16C1C, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.82 | 其他特性： | HIGH SPEED SWITCHING |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1000 V | 配置： | SINGLE |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 600 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 200 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8Q101 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Q101(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8Q102 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Q102(SM) | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR |
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| GT8Q102SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Z-14DS-2C | HRS |
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Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT8Z-20DS-2C | HRS |
获取价格 |
Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT8Z-24DS-2C | HRS |
获取价格 |
Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(Balun) | TDK |
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Balun Cores(RID/Double-Aperture) |
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| GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(EMC) | TDK |
获取价格 |
EMC Suppression(RID/Double-Aperture) |
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