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GT8G121(2-7B6C)

更新时间： 2024-09-16 20:09:47
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 栅双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 371K
描述
TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B6C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor

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GT8G121(2-7B6C) 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.73
其他特性：LOW SATURATION VOLTAGE外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：8 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：2100 ns标称接通时间 (ton)：2500 ns
Base Number Matches：1

GT8G121(2-7B6C) 数据手册

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GT8G121  
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT  
GT8G121  
Unit: mm  
STROBE FLASH APPLICATIONS  
z
z
z
4th Generation (Trench Gate Structure)  
Enhancement−Mode  
Low Saturation Voltage  
: V  
CE (sat)  
= 7 V (Max.) (@I = 150 A)  
C
z
4 V Gate Drive  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
Collector−Emitter Voltage  
V
V
V
400  
±6  
V
V
CES  
GES  
GES  
DC  
Pulse  
DC  
Gate−Emitter Voltage  
±8  
V
I
8
A
C
Collector Current  
1 ms  
I
150  
1.1  
A
CP  
Ta = 25°C  
Tc = 25°C  
P
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Power  
Dissipation  
P
20  
Junction Temperature  
T
j
150  
−55~150  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Storage Temperature Range  
T
stg  
(A) 2−7B5C (B) 2−7B6C  
TOSHIBA  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
Weight: 0.36 g  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/Derating Concept and Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report  
and estimated failure rate, etc).  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta = 25°C)  
CHARACTERISTIC  
Gate Leakage Current  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
= 6 V, V = 0  
MIN  
TYP.  
MAX  
UNIT  
I
V
V
―
―
―
―
10  
10  
1.5  
7
µA  
µA  
V
GES  
GE  
CE  
Collector Cut−off Current  
I
= 400 V, V  
= 0  
CES  
CE  
GE  
Gate−Emitter Cut−off Voltage  
Collector−Emitter Saturation Voltage  
V
I
C
I
C
= 1 mA, V = 5 V  
0.8  
―
―
GE (OFF)  
CE  
V
= 150 A, V  
= 4 V (Pulsed)  
3.5  
V
CE (sat)  
GE  
V
= 10 V, V  
= 0,  
CE  
GE  
Input Capacitance  
Rise Time  
C
―
3800  
―
pF  
µs  
ies  
f = 1 MHz  
t
―
―
―
―
―
2.3  
2.5  
1.7  
2.1  
―
―
―
―
―
r
Turn−on Time  
Switching Time  
t
t
on  
Fall Time  
t
f
Turn−off Time  
off  
Thermal Resistance  
R
―
6.25 °C / W  
th (j−c)  
These devices are MOS type. Users should follow proper ESD Handling Procedures.  
Operating condition of turn-off dv / dt should be lower than 400 V / µs.  
1
2006-11-02  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GT8G121(SM) TOSHIBA

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 		TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,400V V(BR)CES,8A I(C),TO-252AA
GT8G121_06 TOSHIBA

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 		STROBE FLASH APPLICATIONS
GT8G131 TOSHIBA

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 		N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS)
GT8G131_06 TOSHIBA

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