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| 生命周期： | Active | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.17 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 门极-发射极最大电压： | 6 V | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8G103(2-7B5C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B5C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G103(2-7B6C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B6C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G103(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,400V V(BR)CES,8A I(C),TO-252AA, Insulated Gate BIP Trans |
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| GT8G103_06 | TOSHIBA |
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STROBE FLASH APPLICATIONS |
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| GT8G121 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT8G121(2-7B5C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B5C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G121(2-7B6C) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B6C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G121(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,400V V(BR)CES,8A I(C),TO-252AA |
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| GT8G121_06 | TOSHIBA |
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STROBE FLASH APPLICATIONS |
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| GT8G131 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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