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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.75 | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 400 V | 门极-发射极最大电压： | 6 V |
| JESD-609代码： | e0 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8G121(2-7B5C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B5C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G121(2-7B6C) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 400 V, N-CHANNEL IGBT, 2-7B6C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8G121(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR,IGBT,N-CHAN,400V V(BR)CES,8A I(C),TO-252AA |
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| GT8G121_06 | TOSHIBA |
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STROBE FLASH APPLICATIONS |
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| GT8G131 | TOSHIBA |
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N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS) |
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| GT8G131_06 | TOSHIBA |
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Strobe Flash Applications |
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| GT8G132 | TOSHIBA |
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TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT |
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| GT8G132_06 | TOSHIBA |
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Strobe Flash Applications |
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| GT8G133 | TOSHIBA |
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Strobe Flash Applications |
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| GT8G134 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
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