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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.75 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 500 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大上升时间（tr）： | 600 ns | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| VCEsat-Max： | 4 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8Q101(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8Q102 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Q102(SM) | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR |
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| GT8Q102SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Z-14DS-2C | HRS |
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Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT8Z-20DS-2C | HRS |
获取价格 |
Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT8Z-24DS-2C | HRS |
获取价格 |
Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(Balun) | TDK |
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Balun Cores(RID/Double-Aperture) |
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| GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(EMC) | TDK |
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EMC Suppression(RID/Double-Aperture) |
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| GT9 RID2.6x4x5.1H1.4(Balun) | TDK |
获取价格 |
Balun Cores(RID/Double-Aperture) |
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