5秒后页面跳转
GT8Q101 PDF预览

GT8Q101

更新时间: 2024-11-17 22:20:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关电动机控制双极性晶体管高功率电源
页数 文件大小 规格书
3页 208K
描述
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

GT8Q101 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.75
其他特性:HIGH SPEED外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):8 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE最大降落时间(tf):500 ns
门极发射器阈值电压最大值:6 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL功耗环境最大值:100 W
最大功率耗散 (Abs):150 W认证状态:Not Qualified
最大上升时间(tr):600 ns子类别:Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装:NO端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
晶体管应用:MOTOR CONTROL晶体管元件材料:SILICON
VCEsat-Max:4 VBase Number Matches:1

GT8Q101 数据手册

 浏览型号GT8Q101的Datasheet PDF文件第2页浏览型号GT8Q101的Datasheet PDF文件第3页 

与GT8Q101相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
GT8Q101(SM) TOSHIBA

获取价格

TRANSISTOR 8 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor
GT8Q102 TOSHIBA

获取价格

N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
GT8Q102(SM) ETC

获取价格

TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR
GT8Q102SM TOSHIBA

获取价格

N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)
GT8Z-14DS-2C HRS

获取价格

Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections
GT8Z-20DS-2C HRS

获取价格

Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections
GT8Z-24DS-2C HRS

获取价格

Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections
GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(Balun) TDK

获取价格

Balun Cores(RID/Double-Aperture)
GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(EMC) TDK

获取价格

EMC Suppression(RID/Double-Aperture)
GT9 RID2.6x4x5.1H1.4(Balun) TDK

获取价格

Balun Cores(RID/Double-Aperture)