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GT8G131

更新时间： 2024-11-17 22:20:19

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东芝 - TOSHIBA		闪光灯
页数	文件大小	规格书
6页	213K
描述
N CHANNEL MOS TYPE (STROBE FLASH APPLICATIONS)

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GT8G131 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Lifetime Buy
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.7
最大集电极电流 (IC)：	8 A	集电极-发射极最大电压：	400 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	6 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	8
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1.1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	2400 ns
标称接通时间 (ton)：	1700 ns	Base Number Matches：	1

GT8G131 数据手册

GT8G131

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT8G131

Strobe Flash Applications

Unit: mm

Supplied in Compact and Thin Package Requires Only a Small

Mounting Area

4th generation (trench gate structure) IGBT

Enhancement-mode

4-V gate drive voltage: V

= 4.0 V (min) (@I = 150 A)

Peak collector current: I = 150 A (max)

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Collector-emitter voltage

CES

GES

400

±6

Gate-emitter voltage

Pulse

±8

Collector current

1 ms

150

1.1

JEDEC

JEITA

―

Collector power dissipation (Note 1)

Junction temperature

°C

150

-55~150

TOSHIBA

2-6J1C

Storage temperature range

stg

Weight: 0.080 g (typ.)

Note 1: Drive operation: Mount on glass epoxy board [1 inch ´ 1.5 t]

Equivalent Circuit

These devices are MOS type. Users should follow proper ESD handling procedures.

Operating condition of turn-off dv/dt should be lower than 400 V/ms.

2003-03-18

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