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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220IS | 包装说明： | 2-10R1C, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.87 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 350 ns |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | VCEsat-Max： | 4 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8J102(SM) | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR |
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| GT8J102SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8N101 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8Q101 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Q101(SM) | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8Q102 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
|
| GT8Q102(SM) | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR |
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| GT8Q102SM | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Z-14DS-2C | HRS |
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Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
|
| GT8Z-20DS-2C | HRS |
获取价格 |
Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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