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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.79 |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 700 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8Q102 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Q102(SM) | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 1.2KV V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR |
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| GT8Q102SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8Z-14DS-2C | HRS |
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Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT8Z-20DS-2C | HRS |
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Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT8Z-24DS-2C | HRS |
获取价格 |
Antenna, Sensor, and Communications Trunk Line Connections |
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| GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(Balun) | TDK |
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Balun Cores(RID/Double-Aperture) |
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| GT9 RID1.9x2x3.4H0.9(EMC) | TDK |
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EMC Suppression(RID/Double-Aperture) |
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| GT9 RID2.6x4x5.1H1.4(Balun) | TDK |
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Balun Cores(RID/Double-Aperture) |
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| GT9 RID2.6x4x5.1H1.4(EMC) | TDK |
获取价格 |
EMC Suppression(RID/Double-Aperture) |
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