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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.23 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 8 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 门极-发射极最大电压： | 6 V |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 8 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 2200 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 1100 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT8G132_06 | TOSHIBA |
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Strobe Flash Applications |
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| GT8G133 | TOSHIBA |
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Strobe Flash Applications |
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| GT8G134 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
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| GT8G136 | TOSHIBA |
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Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
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| GT8G151 | TOSHIBA |
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EOL announced |
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| GT8J101 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8J102(SM) | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252VAR |
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| GT8J102SM | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT8N101 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 8 A, 1000 V, N-CHANNEL IGBT, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT8Q101 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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