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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.55 | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 400 V |
| 配置： | SINGLE | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 4500 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 150 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT10G131 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT Strobe Flash Applications |
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| GT10J301 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J301_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT10J303 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J303_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT10J311 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J312 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J312(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J312_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT10J321 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT |
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