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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.38 | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 320 ns | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 140 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 500 ns | 标称接通时间 (ton)： | 300 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT10Q311 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 10 A, 1200 V, N-CHANNEL IGBT, Insulated Gate BIP Transistor |
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| GT10S | ETC |
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PNEUMATIC TURBINE VIBRATIORS |
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| GT10S-16DS-CV | HRS |
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Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10S-16DS-HU | HRS |
获取价格 |
Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10S-16DS-HU(24) | HRS |
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Telecom and Datacom Connector |
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| GT10SC-2022PCF | HRS |
获取价格 |
Coaxial cable connection of Antennas, Sensors, and Communication Trunk Lines |
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| GT1-1/1PP-HU | HRS |
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Coaxial cable connection of Antennas, Sensors, and Communication Trunk Lines |
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| GT1-1/1PP-HU(10) | HRS |
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Rectangular Connector |
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| GT1-1/1PP-HU(11) | HRS |
获取价格 |
Rectangular Connector |
|
| GT1-1/1PP-R | HRS |
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Highly efficient and reliable single motion crimp termination allows high volume productio |
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