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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | LEAD FREE, 2-10S2C, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | HIGH SPEED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 10 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最大降落时间（tf）： | 300 ns | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 400 ns | 标称接通时间 (ton)： | 400 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT10J312_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT10J321 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT |
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| GT10J321_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT10M-6/1DP-DS | HRS |
获取价格 |
Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10M-6/1DS-CV4R | HRS |
获取价格 |
Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10M-6/1DS-HU | HRS |
获取价格 |
Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10M-CM | HRS |
获取价格 |
Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10NS-2022SCF | HRS |
获取价格 |
Connector Accessory |
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| GT10PI120B2FH | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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| GT10PI120B2H | SILVERMICRO |
获取价格 |
PIM IGBT-1200V |
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