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GT10Q101

更新时间: 2024-09-09 22:08:07
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东芝 - TOSHIBA 晶体开关晶体管功率控制局域网
页数 文件大小 规格书
6页 299K
描述
High Power Switching Applications

GT10Q101 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.23Is Samacsys:N
其他特性:HIGH SPEED外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):10 A集电极-发射极最大电压:1200 V
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间(tf):320 ns
门极-发射极最大电压:20 VJESD-30 代码:R-PSFM-T3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):140 W认证状态:Not Qualified
子类别:Insulated Gate BIP Transistors表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:POWER CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):500 ns
标称接通时间 (ton):300 nsBase Number Matches:1

GT10Q101 数据手册

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GT10Q101  
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT  
Preliminary  
GT10Q101  
High Power Switching Applications  
Unit: mm  
The 3rd Generation  
Enhancement-Mode  
High Speed: t = 0.32 µs (max)  
f
Low Saturation Voltage: V  
CE (sat)  
= 2.7 V (max)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-emitter voltage  
Gate-emitter voltage  
V
V
1200  
±20  
10  
V
V
CES  
GES  
DC  
Collector current  
I
C
A
1 ms  
I
20  
CP  
Collector power dissipation  
(Tc = 25°C)  
P
140  
W
C
Junction temperature  
Storage temperature range  
T
150  
°C  
°C  
j
JEDEC  
JEITA  
T
55~150  
stg  
TOSHIBA  
2-16C1C  
Weight: 4.6 g (typ.)  
1
2002-01-23  

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