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GT10PI120B2H

更新时间： 2024-09-11 17:14:59

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银茂微 - SILVERMICRO		双极性晶体管
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PIM IGBT-1200V

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GT10PI120B2H 数据手册

GK10PI60B3H

IGBT Module

Features：



Non Punch Through (NPT) Technology

Short Circuit Rated>10μs

Low Saturation Voltage

Low Switching Loss

100% RBSOA Tested(2×Ic)

Low Stray Inductance

Lead Free, Compliant with RoHS Requirement

Applications：



Industrial Inverters

Servo Applications

IGBT, Inverter

Maximum Rated Values (T_C=25℃unless otherwise specified)

V_CES

V_GES

Collector-Emitter Blocking Voltage

Gate-Emitter Voltage

600

±20

T_C= 80℃

T_C= 25℃

T_J= 150℃

I_C

Continuous Collector Current

I_CM

t_SC

P_D

Repetitive Peak Collector Current

Short Circuit Withstand Time

>10

110

μs

T_C= 25℃

Maximum Power Dissipation per IGBT

_Jmax=150℃

www.njsme.com

Page 1 REV.03

09/04/2019

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