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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | LEAD FREE, 2-10R1C, 3 PIN |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.23 |
| 其他特性： | HIGH SPEED | 外壳连接： | ISOLATED |
| 最大集电极电流 (IC)： | 10 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 300 ns |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 30 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 500 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 400 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| GT10J303_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT10J311 | TOSHIBA |
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N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J312 | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J312(SM) | TOSHIBA |
获取价格 |
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) |
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| GT10J312_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS |
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| GT10J321 | TOSHIBA |
获取价格 |
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Chanenel IGBT |
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| GT10J321_06 | TOSHIBA |
获取价格 |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications |
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| GT10M-6/1DP-DS | HRS |
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Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10M-6/1DS-CV4R | HRS |
获取价格 |
Subminiature ECU Interface Connectors |
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| GT10M-6/1DS-HU | HRS |
获取价格 |
Subminiature ECU Interface Connectors |
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