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GT10J311

更新时间： 2024-09-09 22:48:43

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东芝 - TOSHIBA		晶体开关晶体管电动机控制双极性晶体管栅高功率电源
页数	文件大小	规格书
6页	322K
描述
N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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GT10J311 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.24	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	10 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大降落时间（tf）：	300 ns
门极发射器阈值电压最大值：	8 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	80 W	最大功率耗散 (Abs)：	80 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	500 ns
标称接通时间 (ton)：	400 ns	VCEsat-Max：	2.7 V
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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