是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | MODULE |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3 | 针数: | 7 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.14 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC): | 1200 A |
集电极-发射极最大电压: | 1700 V | 配置: | COMPLEX |
门极-发射极最大电压: | 20 V | JESD-30 代码: | R-XUFM-X3 |
湿度敏感等级: | 1 | 元件数量: | 2 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 8600 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Insulated Gate BIP Transistors |
表面贴装: | NO | 端子形式: | UNSPECIFIED |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 1810 ns | 标称接通时间 (ton): | 850 ns |
VCEsat-Max: | 2.25 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
FZ1200R17HP4 | INFINEON |
功能相似 |
IHM-B module with soft-switching Trench IGBT4 | |
GP1200FSS18 | DYNEX |
功能相似 |
Single Switch IGBT Module | |
GP1200FSM18 | DYNEX |
功能相似 |
Hi-Reliability Single Switch IGBT Module |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FZ1200R17HP4B2BOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
FZ1200R17HP4B2BOSA2 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
FZ1200R17HP4HOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
FZ1200R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter | |
FZ1200R17KE3_B2 | EUPEC |
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IGBT-modules | |
FZ1200R17KE3B2NOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, | |
FZ1200R17KF4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 | |
FZ1200R17KF6B2 | EUPEC |
获取价格 |
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values | |
FZ1200R17KF6CB2 | EUPEC |
获取价格 |
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values | |
FZ1200R17KF6CB2V | ETC |
获取价格 |
IGBT Module |