Datasheet > FZ1200R33KF2-B5

FZ1200R33KF2-B5

更新时间： 2024-11-05 22:41:15

品牌	Logo	应用领域
EUPEC		栅
页数	文件大小	规格书
9页	186K
描述
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZ1200R33KF2-B5 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1200 R 33 KF2_B5

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

V_CES

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

3300

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

V_CES

I_C,nom.

I_C

1200

2000

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

_C= 80°C

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

2400

14,7

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

1200

2400

444

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

k A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_vj= 125°C

Spitzenverlustleistung der Diode

maximum power dissipation diode

_vj= 125°C

P_RQM

V_ISOL

1200

10,2

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Teilentladungs-Aussetzspannung

partial discharge extinction voltage

RMS, f = 50 Hz, Q_PDtyp. 10pC (acc. To IEC 1287)

5,1

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

3,40

4,25

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

4,30

5,00

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 120 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

C_ies

C_res

Q_G

4,2

5,1

150

6,0

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_GE= -15V ... + 15V

µC

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Gateladung

gate charge

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

_CE= 3300V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_CES

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: Alfons Wiesenthal

approved by: Christoph Lübke

date of publication : 2002-10-31

revision: 2.0

DB_FZ1200R33KF2 B5_2.0.xls

1 (9)

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与FZ1200R33KF2-B5相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1200R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KF2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KF2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2000A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KL2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ1200R33KL2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2CB5NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KL2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R45HL3	INFINEON	获取价格	IHV-B 4500 V?型190 mm 单开关 IGBT 模块配有第三代沟槽栅/场终止
FZ1200R45HL3_S7	INFINEON	获取价格	VGE = 25 V

与FZ1200R33KF2-B5相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

12
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

33

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZ1200R33KF2-B5

FZ1200R33KF2-B5 数据手册

与FZ1200R33KF2-B5相关器件

与FZ1200R33KF2-B5相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FZ1200R33KF2-B5

FZ1200R33KF2-B5 数据手册

与FZ1200R33KF2-B5相关器件

与FZ1200R33KF2-B5相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？