Datasheet > FZ1200R45HL3

FZ1200R45HL3

更新时间： 2024-11-19 14:56:43

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关栅双极性晶体管二极管
页数	文件大小	规格书
9页	527K
描述
IHV-B 4500 V?型190 mm 单开关 IGBT 模块配有第三代沟槽栅/场终止 IGBT、第三代发射极控制二极管和铝碳化硅绝缘基板 - 是工业应用的理想解决方案。

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZ1200R45HL3 数据手册

FZ1200R45HL3

IHM-BꢀModulꢀmitꢀTrench/FeldstoppꢀIGBT3ꢀundꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀDiode

IHM-BꢀmoduleꢀwithꢀTrench/FieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀ3ꢀdiode

V_CES= 4500V

I_{C nom}= 1200A / I_CRM= 2400A

PotentielleꢀAnwendungen

• Hochleistungsumrichter

• Mittelspannungsantriebe

• Motorantriebe

PotentialꢀApplications

• Highꢀpowerꢀconverters

• Mediumꢀvoltageꢀconverters

• Motorꢀdrives

• USV-Systeme

• UPSꢀsystems

• Windgeneratoren

• Windꢀturbines

ElektrischeꢀEigenschaften

• GroßeꢀDC-Festigkeit

ElectricalꢀFeatures

• HighꢀDCꢀstability

• HoheꢀdynamischeꢀRobustheit

• HoheꢀKurzschlussrobustheit

• NiedrigesꢀV_CEsat

• Highꢀdynamicꢀrobustness

• Highꢀshort-circuitꢀcapability

• LowꢀV_CEsat

• TrenchꢀIGBTꢀ3

• V_CEsatꢀꢀmitꢀpositivemꢀTemperaturkoeffizienten

• V_CEsatꢀꢀwithꢀpositiveꢀtemperatureꢀcoefficient

MechanischeꢀEigenschaften

MechanicalꢀFeatures

• AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische

• AlSiC base plate for increased thermal cycling

Lastwechselfestigkeit

capability

• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ600

• IHMꢀBꢀGehäuse

• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ600

• IHMꢀBꢀhousing

• IsolierteꢀBodenplatte

• Standardgehäuse

• Isolatedꢀbaseꢀplate

• Standardꢀhousing

ModuleꢀLabelꢀCode

BarcodeꢀCodeꢀ128

ContentꢀofꢀtheꢀCode

ModuleꢀSerialꢀNumber

Digit

1ꢀ-ꢀꢀꢀ5

ModuleꢀMaterialꢀNumber

ProductionꢀOrderꢀNumber

Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)

Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)

6ꢀ-ꢀ11

12ꢀ-ꢀ19

20ꢀ-ꢀ21

22ꢀ-ꢀ23

DMXꢀ-ꢀCode

Datasheet

PleaseꢀreadꢀtheꢀImportantꢀNoticeꢀandꢀWarningsꢀatꢀtheꢀendꢀofꢀthisꢀdocument

Vꢀ3.3

www.infineon.com

2019-08-23

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与FZ1200R45HL3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1200R45HL3_S7	INFINEON	获取价格	VGE = 25 V
FZ1200R45KL3_B5	INFINEON	获取价格	10.4kV isolation
FZ12R16K4	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1400R33HE4	INFINEON	获取价格	200% PC
FZ1500R25KF1	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1500R33HE3	INFINEON	获取价格	IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode
FZ1500R33HE3BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1500R33HL3	INFINEON	获取价格	IHM-B module with Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode
FZ1500R33HL3BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1500R45KL3_B5	INFINEON	获取价格	10.4kV isolation