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FZ1200R33KF2CNOSA1

更新时间： 2024-11-18 14:42:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	388K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2000A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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FZ1200R33KF2CNOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9	针数：	9
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	26 weeks	风险等级：	5.66
Is Samacsys：	N	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2000 A	集电极-发射极最大电压：	3300 V
配置：	PARALLEL, 3 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	元件数量：	3
端子数量：	9	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	14500 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1900 ns
标称接通时间 (ton)：	480 ns	VCEsat-Max：	4.25 V
Base Number Matches：	1

FZ1200R33KF2CNOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ1200R33KF2C

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

T_vj= -25°C

3300

V_CES

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

1200

2000

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

2400

14,5

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 1200 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

3,40 4,25

4,30 5,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 120 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V, V_CE= 1800V

T_vj= 25°C

4,2

5,1

22,0

0,42

150

8,00

0,15

ꢀ

6,0

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 3300 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

ꢀ

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

ꢀ

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,91 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,28

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,91 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,20

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,2 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,55

1,70

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 1800 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,2 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,20

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1200 A, V_CE= 1800 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 0,91 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1400

2200

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1200 A, V_CE= 1800 V, L_S= 40 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,2 Ω, C_GE= 220 nF

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1300

1550

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 2500 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

6000

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

8,50 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

6,00

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMW

approvedꢀby:ꢀDTS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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与FZ1200R33KF2CNOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1200R33KL2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ1200R33KL2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2CB5NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KL2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R45HL3	INFINEON	获取价格	IHV-B 4500 V?型190 mm 单开关 IGBT 模块配有第三代沟槽栅/场终止
FZ1200R45HL3_S7	INFINEON	获取价格	VGE = 25 V
FZ1200R45KL3_B5	INFINEON	获取价格	10.4kV isolation
FZ12R16K4	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1400R33HE4	INFINEON	获取价格	200% PC

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