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FZ1200R33KL2

更新时间： 2024-02-07 20:25:45

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EUPEC		晶体晶体管栅局域网
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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

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FZ1200R33KL2 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X9	针数：	9
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	2300 A	集电极-发射极最大电压：	3300 V
配置：	COMPLEX	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X9	湿度敏感等级：	1
元件数量：	3	端子数量：	9
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	225	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	14500 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	4250 ns	标称接通时间 (ton)：	1700 ns
VCEsat-Max：	3.65 V	Base Number Matches：	1

FZ1200R33KL2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1200 R 33 KL2

vorläufiges Datenblatt

preliminary datasheet

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

V_CES

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

3300

T_j= 25°C

T_j= -25°C

collector-emitter voltage

I_C,nom.

I_C

1200

2300

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

_C= 80°C

T_C= 25 °C

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

t_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

2400

14,7

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

1200

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

t_P= 1 ms

I_FRM

2400

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

A²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

T_j= 125°C

440.000

1.500

6.000

2.600

Spitzenverlustleistung der Diode

maximum power dissipation diode

P_RQM

V_ISOL

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

RMS, f = 50 Hz, Q_PD? 10 pC (acc. to IEC 1287)

Teilentladungs-Aussetzspannung

partial discharge extinction voltage

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 1200A, V_GE= 15V, Tvj = 25°C

V_{CE sat}

3,00

3,65

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

3,70

4,45

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I_C= 120 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

C_ies

C_res

Q_G

4,2

5,1

145

6,0

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_GE= -15V ... + 15V, V_CE= 1800V

µC

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Gateladung

gate charge

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

_CE= 3300V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_CES

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

I_GES

400

prepared by: J. Biermann

date of publication : 2002-04-23

revision: 3

approved by: Christoh Lübke; 2002-04-30

FZ1200R33KL2_V Rev3.xls

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