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FZ1200R17KF6CB2

更新时间： 2024-11-17 22:45:39

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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values

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FZ1200R17KF6CB2 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MODULE-7
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1950 A
集电极-发射极最大电压：	1700 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	9600 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	1240 ns	标称接通时间 (ton)：	460 ns
VCEsat-Max：	3.1 V	Base Number Matches：	1

FZ1200R17KF6CB2 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1200 R 17 KF6C B2

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1700

T_C= 80 °C

T_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

1200

1950

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

2400

9,6

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

1200

2400

380

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

tp = 1 ms

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 80mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

14,5

6,5

Gateladung

gate charge

_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

C_res

I_CES

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: A. Wiesenthal

date of publication: 05.04.2001

revision: 1 (preliminary)

approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001

1(8)

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