Datasheet > FZ1200R17KF6CB2V

FZ1200R17KF6CB2V

更新时间： 2024-11-17 23:53:19

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	126K
描述
IGBT Module

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FZ1200R17KF6CB2V 数据手册

Technische Information / Technical Information

IGBT-Module

IGBT-Modules

FZ 1200 R 17 KF6C B2

vorläufige Daten

preliminary data

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

T_vj= 25°C

V_CES

1700

T_C= 80 °C

T_C= 25 °C

I_C,nom.

I_C

1200

1950

Kollektor-Dauergleichstrom

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

repetitive peak collector current

_P= 1 ms, T_C= 80°C

I_CRM

2400

9,6

Gesamt-Verlustleistung

total power dissipation

T_C=25°C, Transistor

P_tot

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V_GES

+/- 20V

1200

2400

380

Dauergleichstrom

DC forward current

I_F

Periodischer Spitzenstrom

repetitive peak forw. current

I_FRM

tp = 1 ms

Grenzlastintegral der Diode

I²t - value, Diode

I²t

kA²s

V_R= 0V, t_p= 10ms, T_Vj= 125°C

RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.

Isolations-Prüfspannung

insulation test voltage

V_ISOL

Charakteristische Werte / Characteristic values

min. typ. max.

Transistor / Transistor

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 25°C

V_{CE sat}

2,6

3,1

3,6

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I_C= 1200A, V_GE= 15V, T_vj= 125°C

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

_C= 80mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE(th)

4,5

5,5

14,5

6,5

Gateladung

gate charge

_GE= -15V ... +15V

Q_G

µC

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

C_ies

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

f = 1MHz,T_vj= 25°C,V_CE= 25V, V_GE= 0V

V_CE= 1700V, V_GE= 0V, T_vj= 25°C

C_res

I_CES

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

V_CE= 0V, V_GE= 20V, T_vj= 25°C

I_GES

400

prepared by: A. Wiesenthal

date of publication: 05.04.2001

revision: 1 (preliminary)

approved by: Christoph Lübke; 12.04.2001

1(8)

FZ1200R17KF6CB2_V.xls

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与FZ1200R17KF6CB2V相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1200R33HE3	INFINEON	获取价格	IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
FZ1200R33HE3BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KF1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 1.2KA I(C)
FZ1200R33KF2-B5	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KF2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KF2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2000A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KL2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ1200R33KL2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter