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FZ1200R33HE3

更新时间： 2024-11-21 10:28:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
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9页	469K
描述
IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode

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FZ1200R33HE3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X3	针数：	9
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	1200 A
集电极-发射极最大电压：	3300 V	配置：	COMPLEX
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	3
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	11000 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	3550 ns	标称接通时间 (ton)：	1150 ns
Base Number Matches：	1

FZ1200R33HE3 数据手册

Technische Information / technical information

FZ1200R33HE3

IHM-B Modul mit schnellem Trench/Feldstopp IGBT3 und Emitter Controlled 3 Diode

IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled 3 diode

Vorläufige Daten / preliminary data

V†Š» = 3300V

I† ÒÓÑ = 1200A / I†ç¢ = 2400A

Typische Anwendungen

Typical Applications

Chopper-Anwendungen

Mittelspannungsantriebe

Motorantriebe

Chopper Applications

Medium Voltage Converters

Motor Drives

•

Traktionsumrichter

USV-Systeme

Traction Drives

UPS Systems

Windgeneratoren

Wind Turbines

Elektrische Eigenschaften

Electrical Features

Große DC-Festigkeit

High DC Stability

•

Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender

Kurzschlussstrom

High Short Circuit Capability, Self Limiting Short

Circuit Current

Niedrige Schaltverluste

Niedriges V†ŠÙÈÚ

Low Switching Losses

Low V†ŠÙÈÚ

•

Sehr große Robustheit

TÝÎ ÓÔ = 150°C

Unbeatable Robustness

TÝÎ ÓÔ = 150°C

V†ŠÙÈÚ mit positivem Temperaturkoeffizienten

V†ŠÙÈÚ with positive Temperature Coefficient

Mechanische Eigenschaften

Mechanical Features

AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische

Lastwechselfestigkeit

AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling

Capability

•

Gehäuse mit CTI > 400

IHM B Gehäuse

Package with CTI > 400

IHM B Housing

•

Isolierte Bodenplatte

Isolated Base Plate

Module Label Code

Barcode Code 128

Content of the Code

Digit

Module Serial Number

1 - 5

Module Material Number

Production Order Number

Datecode (Production Year)

Datecode (Production Week)

6 - 11

12 - 19

20 - 21

22 - 23

DMX - Code

prepared by: JB

approved by: TS

date of publication: 2010-07-16

revision: 2.1

material no: 34311

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1200R33HE3BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KF1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 1.2KA I(C)
FZ1200R33KF2-B5	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KF2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KF2CNOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2000A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KL2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KL2C	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FZ1200R33KL2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KL2CB5NOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 2300A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9

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