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FZ1200R17HP4HOSA1

更新时间: 2024-11-18 19:42:23
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英飞凌 - INFINEON 局域网功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 658K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

FZ1200R17HP4HOSA1 技术参数

生命周期:Active包装说明:FLANGE MOUNT, R-XUFM-X4
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.61
外壳连接:ISOLATED最大集电极电流 (IC):1200 A
集电极-发射极最大电压:1700 V配置:COMPLEX
JESD-30 代码:R-XUFM-X4元件数量:2
端子数量:4封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
极性/信道类型:N-CHANNEL表面贴装:NO
端子形式:UNSPECIFIED端子位置:UPPER
晶体管应用:POWER CONTROL晶体管元件材料:SILICON
标称断开时间 (toff):1810 ns标称接通时间 (ton):960 ns
Base Number Matches:1

FZ1200R17HP4HOSA1 数据手册

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FZ1200R17HP4  
IHM-BꢀModulꢀmitꢀsoftꢀschaltendemꢀTrench-IGBT4  
IHM-Bꢀmoduleꢀwithꢀsoft-switchingꢀTrench-IGBT4  
VorläufigeꢀDatenꢀ/ꢀPreliminaryꢀData  
VCES = 1700V  
IC nom = 1200A / ICRM = 2400A  
TypischeꢀAnwendungen  
• Hochleistungsumrichter  
• Motorantriebe  
TypicalꢀApplications  
• HighꢀPowerꢀConverters  
• MotorꢀDrives  
ElektrischeꢀEigenschaften  
• ErweiterteꢀSperrschichttemperaturꢀTvjꢀop  
• NiedrigesꢀVCEsat  
ElectricalꢀFeatures  
• ExtendedꢀOperationꢀTemperatureꢀTvjꢀop  
• LowꢀVCEsat  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
• Tvjꢀopꢀ=ꢀ150°C  
MechanischeꢀEigenschaften  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀIsolationsfestigkeit  
• GehäuseꢀmitꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• GroßeꢀLuft-ꢀundꢀKriechstrecken  
• HoheꢀLeistungsdichte  
MechanicalꢀFeatures  
• 4ꢀkVꢀACꢀ1minꢀInsulation  
• PackageꢀwithꢀCTIꢀ>ꢀ400  
• HighꢀCreepageꢀandꢀClearanceꢀDistances  
• HighꢀPowerꢀDensity  
• IHMꢀBꢀGehäuse  
• IHMꢀBꢀHousing  
• Kupferbodenplatte  
• CopperꢀBaseꢀPlate  
ModuleꢀLabelꢀCode  
BarcodeꢀCodeꢀ128  
ContentꢀofꢀtheꢀCode  
ModuleꢀSerialꢀNumber  
ꢀDigit  
ꢀꢀ1ꢀ-ꢀꢀꢀ5  
ꢀꢀ6ꢀ-ꢀ11  
12ꢀ-ꢀ19  
20ꢀ-ꢀ21  
22ꢀ-ꢀ23  
ModuleꢀMaterialꢀNumber  
ProductionꢀOrderꢀNumber  
Datecodeꢀ(ProductionꢀYear)  
Datecodeꢀ(ProductionꢀWeek)  
DMXꢀ-ꢀCode  
preparedꢀby:ꢀWB  
approvedꢀby:ꢀPL  
dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-03-09  
revision:ꢀ2.2  
ULꢀapprovedꢀ(E83335)  
1

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