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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ1200R17KF6B2 | EUPEC |
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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
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| FZ1200R17KF6CB2 | EUPEC |
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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
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| FZ1200R17KF6CB2V | ETC |
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IGBT Module |
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| FZ1200R33HE3 | INFINEON |
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IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode |
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| FZ1200R33HE3BPSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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| FZ1200R33KF1 | ETC |
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TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | INDEPENDENT | 3.3KV V(BR)CES | 1.2KA I(C) |
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| FZ1200R33KF2-B5 | EUPEC |
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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
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| FZ1200R33KF2C | EUPEC |
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
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| FZ1200R33KF2C-B5 | EUPEC |
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
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| FZ1200R33KF2CNOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 2000A I(C), 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9 |
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