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FZ1200R17KE3B2NOSA1

更新时间： 2024-11-18 14:50:27

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英飞凌 - INFINEON		栅
页数	文件大小	规格书
8页	387K
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Insulated Gate Bipolar Transistor,

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FZ1200R17KE3B2NOSA1 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.62	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

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TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FZ1200R17KE3_B2

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

1200

1900

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

2400

8,95

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ kW

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 1200 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 48,0 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

14,0

1,0

110

3,50

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,65

0,70

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,16

0,20

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,30

1,60

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 1200 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,30

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1200 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 1,2 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

240

350

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 1200 A, V_CE= 900 V, L_S= 50 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 1,5 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

305

445

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

4800

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

14,0 K/kW

K/kW

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

12,0

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀWB

approvedꢀby:ꢀPL

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-25

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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与FZ1200R17KE3B2NOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FZ1200R17KF4	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7
FZ1200R17KF6B2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R17KF6CB2	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R17KF6CB2V	ETC	获取价格	IGBT Module
FZ1200R33HE3	INFINEON	获取价格	IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode
FZ1200R33HE3BPSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 3300V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-9
FZ1200R33KF1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT POWER MODULE \| INDEPENDENT \| 3.3KV V(BR)CES \| 1.2KA I(C)
FZ1200R33KF2-B5	EUPEC	获取价格	Hochstzulassige Werte / Maximum rated values
FZ1200R33KF2C	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter
FZ1200R33KF2C-B5	EUPEC	获取价格	IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

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