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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X7 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.56 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 集电极-发射极最大电压： | 1700 V |
| 配置： | COMPLEX | JESD-30 代码： | R-PUFM-X7 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 1810 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 850 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FZ1200R17HP4B2BOSA2 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ1200R17HP4HOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ1200R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter |
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| FZ1200R17KE3_B2 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FZ1200R17KE3B2NOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| FZ1200R17KF4 | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7 |
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| FZ1200R17KF6B2 | EUPEC |
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Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
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| FZ1200R17KF6CB2 | EUPEC |
获取价格 |
Hochstzulassige Werte / Maximum rated values |
|
| FZ1200R17KF6CB2V | ETC |
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IGBT Module |
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| FZ1200R33HE3 | INFINEON |
获取价格 |
IHM-B module with fast Trench/Fieldstop IGBT3 and Emitter Controlled3 diode |
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