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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18 |
| 针数： | 35 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.58 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 95 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 650 V | 配置： | COMPLEX |
| JESD-30 代码： | R-XUFM-X18 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 18 |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 258 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 44 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS75R07W2E3B11ABOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 95A I(C), 650V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PACK |
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| FS75R12KE3 | INFINEON |
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EconoPACK™2 1200 V, 75 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IG |
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| FS75R12KE3_B9 | INFINEON |
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IGBT-modules |
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| FS75R12KE3B9BDLA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-26 |
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| FS75R12KE3BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28 |
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| FS75R12KE3G | EUPEC |
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IGBT-Modules |
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| FS75R12KE3G | INFINEON |
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EconoPACK?3?1200 V, 75 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IG |
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| FS75R12KE3G_03 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FS75R12KS4 | EUPEC |
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IGBT-modules |
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| FS75R12KS4 | INFINEON |
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EconoPACK? 3 1200V 六单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速 |
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