是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X18 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | 风险等级: | 5.51 |
最大集电极电流 (IC): | 107 A | 集电极-发射极最大电压: | 1200 V |
配置: | COMPLEX | JESD-30 代码: | R-XUFM-X18 |
元件数量: | 6 | 端子数量: | 18 |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 表面贴装: | NO |
端子形式: | UNSPECIFIED | 端子位置: | UPPER |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | POWER CONTROL |
晶体管元件材料: | SILICON | 标称断开时间 (toff): | 490 ns |
标称接通时间 (ton): | 185 ns | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
FS75R12W2T7 | INFINEON |
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EasyPACK??2B 1200 V,?75 A 六单元?IGBT模块,采用TRENCH | |
FS75R12W2T7_B11 | INFINEON |
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PressFIT | |
FS75R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-Module | |
FS75R17KE3 | INFINEON |
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EconoPACK? 3 1700V 六单元 IGBT 模块,采用第三代 IGBT 和NT | |
FS75R17KE3BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 | |
FS75R17W2E4P_B11 | INFINEON |
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PressFIT | |
FS770R08A6P2B | INFINEON |
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Wave Baseplate, Short Tabs | |
FS770R08A6P2LB | INFINEON |
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Wave Baseplate, Long Tabs | |
FS7755 | ETC |
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Energy Metering IC with Impulse Output | |
FS781 | CYPRESS |
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Low EMI Spectrum Spread Clock |