Datasheet > FS75R17KE3

FS75R17KE3

更新时间： 2024-11-21 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	464K
描述
EconoPACK? 3 1700V 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IGBT 和NTC 温度检测技术

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

FS75R17KE3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X35	针数：	35
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.19	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	130 A	集电极-发射极最大电压：	1700 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X35	元件数量：	6
端子数量：	35	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	465 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	1100 ns
标称接通时间 (ton)：	450 ns	VCEsat-Max：	2.45 V
Base Number Matches：	1

FS75R17KE3 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R17KE3

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1700

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

130

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

150

465

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

2,00 2,45

2,40

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,2

5,8

0,90

8,5

6,80

0,22

ꢀ

6,4

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1700 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,37

0,40

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,04

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,65

0,80

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 900 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,18

0,30

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 900 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

16,5

24,0

E_on

E_off

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 900 V, L_S= 30 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 6,8 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

16,0

23,5

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 1000 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

300

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

T_{vj op}

ꢀ

0,27 K/W

125 °C

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

preparedꢀby:ꢀMW

approvedꢀby:ꢀWR

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

与FS75R17KE3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS75R17KE3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35
FS75R17W2E4P_B11	INFINEON	获取价格	PressFIT
FS770R08A6P2B	INFINEON	获取价格	Wave Baseplate, Short Tabs
FS770R08A6P2LB	INFINEON	获取价格	Wave Baseplate, Long Tabs
FS7755	ETC	获取价格	Energy Metering IC with Impulse Output
FS781	CYPRESS	获取价格	Low EMI Spectrum Spread Clock
FS781/82/84	ETC	获取价格	Clocks and Buffers
FS781BT	CYPRESS	获取价格	Clock Generator, 82MHz, CMOS, PDSO8, 4.40 MM, TSSOP-8
FS781BTB	CYPRESS	获取价格	Clock Generator, CMOS, PDSO8, 0.169 INCH, TSSOP-8
FS781BTT	CYPRESS	获取价格	Clock Generator, 82MHz, CMOS, PDSO8, 4.40 MM, TSSOP-8

与FS75R17KE3相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

24
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

16
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

48
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

46

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FS75R17KE3

FS75R17KE3 技术参数

FS75R17KE3 数据手册

与FS75R17KE3相关器件

与FS75R17KE3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

FS75R17KE3

FS75R17KE3 技术参数

FS75R17KE3 数据手册

与FS75R17KE3相关器件

与FS75R17KE3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？