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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | MODULE |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X15 | 针数： | 33 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.52 | Is Samacsys： | N |
| 外壳连接： | ISOLATED | 最大集电极电流 (IC)： | 107 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 1200 V | 配置： | COMPLEX |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JESD-30 代码： | R-XUFM-X15 |
| 元件数量： | 6 | 端子数量： | 15 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 375 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 490 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 185 ns | VCEsat-Max： | 2.15 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| FS75R12W2T4_B11 | INFINEON |
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EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode |
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| FS75R12W2T4B11BOMA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 107A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-33 |
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| FS75R12W2T7 | INFINEON |
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EasyPACK??2B 1200 V,?75 A 六单元?IGBT模块，采用TRENCH |
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| FS75R12W2T7_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FS75R17KE3 | EUPEC |
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IGBT-Module |
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| FS75R17KE3 | INFINEON |
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EconoPACK? 3 1700V 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IGBT 和NT |
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| FS75R17KE3BOSA1 | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 130A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-35 |
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| FS75R17W2E4P_B11 | INFINEON |
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PressFIT |
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| FS770R08A6P2B | INFINEON |
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Wave Baseplate, Short Tabs |
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| FS770R08A6P2LB | INFINEON |
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Wave Baseplate, Long Tabs |
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