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FS75R12KT4_B15

更新时间： 2024-11-02 10:24:43

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管晶体管双极性晶体管栅 PC 局域网
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描述
EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode

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FS75R12KT4_B15 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X28	针数：	28
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.67	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	422436
Samacsys Pin Count：	34	Samacsys Part Category：	Integrated Circuit
Samacsys Package Category：	Other	Samacsys Footprint Name：	FS75R12KT4_B15-2
Samacsys Released Date：	2020-02-18 10:17:09	Is Samacsys：	N
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	75 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
门极-发射极最大电压：	20 V	JESD-30 代码：	R-XUFM-X28
元件数量：	6	端子数量：	28
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	385 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	490 ns	标称接通时间 (ton)：	185 ns
VCEsat-Max：	2.15 V	Base Number Matches：	1

FS75R12KT4_B15 数据手册

Technische Information / technical information

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R12KT4_B15

EconoPACK™2 Modul mit Trench/Feldstopp IGBT4 und Emitter Controlled4 Diode

EconoPACK™2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode

IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter

Vorläufige Daten / preliminary data

Höchstzulässige Werte / maximum rated values

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

collector-emitter voltage

TÝÎ = 25°C

V†Š»

I† ÒÓÑ

I†ç¢

PÚÓÚ

1200

Kollektor-Dauergleichstrom

T† = 95°C, TÝÎ = 175°C

DC-collector current

Periodischer Kollektor Spitzenstrom

t« = 1 ms

150

385

+/-20

repetitive peak collector current

Gesamt-Verlustleistung

T† = 25°C, TÝÎ = 175°C

total power dissipation

Gate-Emitter-Spitzenspannung

gate-emitter peak voltage

V•Š»

Charakteristische Werte / characteristic values

min. typ. max.

Kollektor-Emitter Sättigungsspannung

collector-emitter saturation voltage

I† = 75 A, V•Š = 15 V

TÝÎ = 25°C

TÝÎ = 125°C V†Š ÙÈÚ

TÝÎ = 150°C

1,85 2,15

2,15

2,25

Gate-Schwellenspannung

gate threshold voltage

I† = 2,40 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C

V•Š = -15 V ... +15 V

V•ŠÚÌ

Q•

5,2

5,8

0,57

6,4

µC

Gateladung

gate charge

Interner Gatewiderstand

internal gate resistor

TÝÎ = 25°C

R•ÍÒÚ

CÍþÙ

CØþÙ

I†Š»

I•Š»

Eingangskapazität

input capacitance

f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V

V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C

V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C

4,30

0,16

Rückwirkungskapazität

reverse transfer capacitance

Kollektor-Emitter Reststrom

collector-emitter cut-off current

1,0 mA

100 nA

Gate-Emitter Reststrom

gate-emitter leakage current

Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-on delay time (inductive load)

I† = 75 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 2,2 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓÒ

0,13

0,15

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Anstiegszeit (induktive Last)

rise time (inductive load)

I† = 75 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓÒ = 2,2 Â

TÝÎ = 25°C

tØ

0,02

0,03

0,035

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)

turn-off delay time (inductive load)

I† = 75 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 2,2 Â

TÝÎ = 25°C

tÁ ÓËË

0,30

0,38

0,40

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Fallzeit (induktive Last)

fall time (inductive load)

I† = 75 A, V†Š = 600 V

V•Š = ±15 V

R•ÓËË = 2,2 Â

TÝÎ = 25°C

tË

0,045

0,08

0,09

µs

TÝÎ = 125°C

TÝÎ = 150°C

Einschaltverlustenergie pro Puls

turn-on energy loss per pulse

I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 25 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, di/dt = 2800 A/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

4,70

7,20

8,00

EÓÒ

EÓËË

R•ÓÒ = 2,2 Â

TÝÎ = 150°C

Abschaltverlustenergie pro Puls

turn-off energy loss per pulse

I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 25 nH TÝÎ = 25°C

V•Š = ±15 V, du/dt = 3800 V/µs (TÝÎ=150°C) TÝÎ = 125°C

3,90

6,10

6,40

R•ÓËË = 2,2 Â

TÝÎ = 150°C

Kurzschlussverhalten

SC data

V•Š ù 15 V, V†† = 800 V

V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt

I»†

t« ù 10 µs, TÝÎ = 150°C

270

Innerer Wärmewiderstand

thermal resistance, junction to case

pro IGBT / per IGBT

ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)

RÚÌœ†

RÚÌ†™

0,39 K/W

Übergangs-Wärmewiderstand

thermal resistance, case to heatsink

0,195

K/W

ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)

prepared by: Christoph Messelke

approved by: Robert Severin

date of publication: 2008-05-15

revision: 2.0

12 3 4 5 6 7 8

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