5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> FS75R12KE3_B9
FS75R12KE3_B9 PDF预览

FS75R12KE3_B9

更新时间： 2024-11-02 12:20:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 277K
描述
IGBT-modules

阅读下载

中文翻译

获取价格

FS75R12KE3_B9 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：MODULE
包装说明：FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26针数：26
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.55Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED最大集电极电流 (IC)：105 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压：20 VJESD-30 代码：R-XUFM-X26
湿度敏感等级：1元件数量：6
端子数量：26最高工作温度：175 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：355 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：UNSPECIFIED
端子位置：UPPER处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：610 ns
标称接通时间 (ton)：340 nsVCEsat-Max：2.15 V
Base Number Matches：1

FS75R12KE3_B9 数据手册

 浏览型号FS75R12KE3_B9的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FS75R12KE3_B9的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FS75R12KE3_B9的Datasheet PDF文件第4页浏览型号FS75R12KE3_B9的Datasheet PDF文件第5页浏览型号FS75R12KE3_B9的Datasheet PDF文件第6页浏览型号FS75R12KE3_B9的Datasheet PDF文件第7页 
Technische Information / technical information  
IGBT-Module  
IGBT-modules  
FS75R12KE3_B9  
IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter  
Vorläufige Daten / preliminary data  
Höchstzulässige Werte / maximum rated values  
Kollektor-Emitter-Sperrspannung  
collector-emitter voltage  
TÝÎ = 25°C  
V†Š»  
1200  
V
Kollektor-Dauergleichstrom  
DC-collector current  
T† = 80°C, TÝÎ = 150°C  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
I† ÒÓÑ  
I†  
75  
105  
A
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom  
repetitive peak collector current  
t« = 1 ms  
I†ç¢  
PÚÓÚ  
150  
355  
A
W
V
Gesamt-Verlustleistung  
total power dissipation  
T† = 25°C, TÝÎ = 150°C  
Gate-Emitter-Spitzenspannung  
gate-emitter peak voltage  
V•Š»  
+/-20  
Charakteristische Werte / characteristic values  
min. typ. max.  
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung  
collector-emitter saturation voltage  
I† = 75 A, V•Š = 15 V  
I† = 75 A, V•Š = 15 V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
1,70 2,15  
2,00  
V
V
V†Š ÙÈÚ  
V•ŠÚÌ  
Q•  
Gate-Schwellenspannung  
gate threshold voltage  
I† = 3,00 mA, V†Š = V•Š, TÝÎ = 25°C  
V•Š = -15 V ... +15 V  
5,0  
5,8  
0,70  
10  
6,5  
V
µC  
Â
Gateladung  
gate charge  
Interner Gatewiderstand  
internal gate resistor  
TÝÎ = 25°C  
R•ÍÒÚ  
CÍþÙ  
Eingangskapazität  
input capacitance  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
f = 1 MHz, TÝÎ = 25°C, V†Š = 25 V, V•Š = 0 V  
V†Š = 1200 V, V•Š = 0 V, TÝÎ = 25°C  
V†Š = 0 V, V•Š = 20 V, TÝÎ = 25°C  
5,30  
0,20  
nF  
nF  
Rückwirkungskapazität  
reverse transfer capacitance  
CØþÙ  
Kollektor-Emitter Reststrom  
collector-emitter cut-off current  
I†Š»  
I•Š»  
tÁ ÓÒ  
1,0 mA  
100 nA  
Gate-Emitter Reststrom  
gate-emitter leakage current  
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-on delay time (inductive load)  
I† = 75 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,26  
0,29  
µs  
µs  
Anstiegszeit (induktive Last)  
rise time (inductive load)  
I† = 75 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓÒ = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,03  
0,05  
µs  
µs  
tØ  
tÁ ÓËË  
tË  
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)  
turn-off delay time (inductive load)  
I† = 75 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,42  
0,52  
µs  
µs  
Fallzeit (induktive Last)  
fall time (inductive load)  
I† = 75 A, V†Š = 600 V  
V•Š = ±15 V  
R•ÓËË = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 125°C  
0,07  
0,09  
µs  
µs  
Einschaltverlustenergie pro Puls  
turn-on energy loss per pulse  
I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 70 nH  
V•Š = ±15 V, di/dt = 2200 A/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓÒ = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
5,00  
7,50  
mJ  
mJ  
EÓÒ  
EÓËË  
Abschaltverlustenergie pro Puls  
turn-off energy loss per pulse  
I† = 75 A, V†Š = 600 V, L» = 70 nH  
V•Š = ±15 V, du/dt = 3200 V/µs (TÝÎ=125°C) TÝÎ = 125°C  
R•ÓËË = 4,7 Â  
TÝÎ = 25°C  
6,50  
9,50  
mJ  
mJ  
Kurzschlussverhalten  
SC data  
V•Š ù 15 V, V†† = 900 V  
V†ŠÑÈà = V†Š» -LÙ†Š ·di/dt  
I»†  
t« ù 10 µs, TÝÎ = 125°C  
300  
A
Innerer Wärmewiderstand  
thermal resistance, junction to case  
pro IGBT  
per IGBT  
RÚÌœ†  
RÚ̆™  
0,35 K/W  
Übergangs-Wärmewiderstand  
thermal resistance, case to heatsink  
pro IGBT / per IGBT  
ð«ÈÙÚþ = 1 W/(m·K)  
0,21  
K/W  
/
ðÃØþÈÙþ = 1 W/(m·K)  
prepared by: Christoph Messelke  
approved by: Robert Severin  
date of publication: 2007-06-28  
revision: 2.0  
1
12345678

中文翻译

下载PDF

与FS75R12KE3_B9相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FS75R12KE3B9BDLA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-26
FS75R12KE3BOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28
FS75R12KE3G EUPEC

获取价格

 		IGBT-Modules
FS75R12KE3G INFINEON

获取价格

 		EconoPACK?3?1200 V, 75 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IG
FS75R12KE3G_03 EUPEC

获取价格

 		IGBT-modules
FS75R12KS4 EUPEC

获取价格

 		IGBT-modules
FS75R12KS4 INFINEON

获取价格

 		EconoPACK? 3 1200V 六单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速
FS75R12KS4BOSA1 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-39
FS75R12KT3 EUPEC

获取价格

 		EconoPACK2 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FS75R12KT3 INFINEON

获取价格

 		EconoPACK™2 1200 V, 75 A sixpack IGBT module 

与FS75R12KE3_B9相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证