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FS75R12KT3BOSA1

更新时间： 2024-11-02 21:18:07

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	418K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-28

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FS75R12KT3BOSA1 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X28
针数：	28	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	2.08
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	105 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND THERMISTOR
JESD-30 代码：	R-XUFM-X28	元件数量：	6
端子数量：	28	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	340 ns	Base Number Matches：	1

FS75R12KT3BOSA1 数据手册

TechnischeꢀInformationꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-Module

IGBT-modules

FS75R12KT3

EconoPACK™2ꢀModulꢀmitꢀschnellemꢀTrench/FeldstopꢀIGBT3ꢀundꢀHighꢀEfficiencyꢀDiodeꢀ

EconoPACK™2ꢀwithꢀfastꢀtrench/fieldstopꢀIGBT3ꢀandꢀEmitterꢀControlledꢀHighꢀEfficiencyꢀdiodeꢀ

VorläufigeꢀDaten

PreliminaryꢀData

IGBT,Wechselrichterꢀ/ꢀIGBT,Inverter

HöchstzulässigeꢀWerteꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

Kollektor-Emitter-Sperrspannung

Collector-emitterꢀvoltage

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Kollektor-Dauergleichstrom

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

105

PeriodischerꢀKollektor-Spitzenstrom

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

150

355

Gesamt-Verlustleistung

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150

ꢀ W

Gate-Emitter-Spitzenspannung

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

CharakteristischeꢀWerteꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

1,90

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

Gate-Schwellenspannung

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

0,70

6,5

µC

Ω

Gateladung

Gateꢀcharge

ꢀ

InternerꢀGatewiderstand

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

Eingangskapazität

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

5,30

0,20

ꢀ

Rückwirkungskapazität

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

Kollektor-Emitter-Reststrom

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

5,0 mA

Gate-Emitter-Reststrom

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

400 nA

µs

Einschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,26

0,29

ꢀ

µs

Anstiegszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

Abschaltverzögerungszeit,ꢀinduktiveꢀLast

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,42

0,52

µs

Fallzeit,ꢀinduktiveꢀLast

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,07

0,09

µs

EinschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

E_on

E_off

7,00

8,10

AbschaltverlustenergieꢀproꢀPuls

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

ꢀ

Kurzschlußverhalten

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

I_SC

ꢀ

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

300

Wärmewiderstand,ꢀChipꢀbisꢀGehäuse

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,35 K/W

K/W

Wärmewiderstand,ꢀGehäuseꢀbisꢀKühlkörper proꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,19

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

TemperaturꢀimꢀSchaltbetrieb

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀMK

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-10-03

revision:ꢀ2.1

12 3 4 5 6 7 8

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与FS75R12KT3BOSA1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS75R12KT3G	EUPEC	获取价格	EconoPACK3 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FS75R12KT3G	INFINEON	获取价格	EconoPACK?3 1200 V 75 A 六单元 IGBT 模块，配备第三代沟槽栅/
FS75R12KT3GBOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-35
FS75R12KT4	INFINEON	获取价格	EconoPACK? 2?1200 V, 75 A sixpack?IGBT module?with fast TRENCHSTOP? IGBT4, Emitter Control
FS75R12KT4_B11	INFINEON	获取价格	IGBT- Wechselrichter / IGBT-inverter
FS75R12KT4_B15	INFINEON	获取价格	EconoPACK2 module with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode
FS75R12KT4B11BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-25
FS75R12N2T7_B15	INFINEON	获取价格	Solder pin
FS75R12W2T4	INFINEON	获取价格	EasyPACK module with Trench/Fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and PressFIT /
FS75R12W2T4_B11	INFINEON	获取价格	EasyPACK 2B module PressFIT with trench/fieldstop IGBT4 and Emitter Controlled4 Diode

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