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FS75R12KE3B9BDLA1

更新时间： 2024-11-27 14:51:11

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	609K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-26

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FS75R12KE3B9BDLA1 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X26
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.56
其他特性：	UL RECOGNIZED	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	105 A	集电极-发射极最大电压：	1200 V
配置：	BRIDGE, 6 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	JESD-30 代码：	R-XUFM-X26
元件数量：	6	端子数量：	26
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	610 ns
标称接通时间 (ton)：	340 ns	Base Number Matches：	1

FS75R12KE3B9BDLA1 数据手册

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技术信息ꢀ/ꢀTechnicalꢀInformation

IGBT-模块

IGBT-modules

FS75R12KE3_B9

初步数据

PreliminaryꢀData

IGBT,ꢀ逆变器ꢀ/ꢀIGBT,Inverter

最大额定值ꢀ/ꢀMaximumꢀRatedꢀValues

集电极－发射极电压

T_vj= 25°C

V_CES

ꢀ

1200

ꢀ

Collector-emitterꢀvoltage

连续集电极直流电流

ContinuousꢀDCꢀcollectorꢀcurrent

T_C= 80°C, T_{vj max}= 150°C

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

I_{C nom}

I_C

105

集电极重复峰值电流

Repetitiveꢀpeakꢀcollectorꢀcurrent

t_P= 1 ms

I_CRM

P_tot

150

355

总功率损耗

Totalꢀpowerꢀdissipation

T_C= 25°C, T_{vj max}= 150°C

ꢀ W

栅极－发射极峰值电压

Gate-emitterꢀpeakꢀvoltage

ꢀ

V_GES

+/-20

ꢀ

特征值ꢀ/ꢀCharacteristicꢀValues

min. typ. max.

集电极－发射极饱和电压

Collector-emitterꢀsaturationꢀvoltage

I_C= 75 A, V_GE= 15 V

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

1,70 2,15

2,00

V_{CE sat}

V_GEth

Q_G

栅极阈值电压

Gateꢀthresholdꢀvoltage

I_C= 3,00 mA, V_CE= V_GE, T_vj= 25°C

V_GE= -15 V ... +15 V

5,0

5,8

0,70

6,5

µC

Ω

栅极电荷

Gateꢀcharge

ꢀ

内部栅极电阻

Internalꢀgateꢀresistor

T_vj= 25°C

R_Gint

C_ies

输入电容

Inputꢀcapacitance

f = 1 MHz, T_vj= 25°C, V_CE= 25 V, V_GE= 0 V

V_CE= 1200 V, V_GE= 0 V, T_vj= 25°C

V_CE= 0 V, V_GE= 20 V, T_vj= 25°C

5,30

0,20

ꢀ

反向传输电容

Reverseꢀtransferꢀcapacitance

C_res

I_CES

I_GES

t_{d on}

集电极-发射极截止电流

Collector-emitterꢀcut-offꢀcurrent

1,0 mA

栅极-发射极漏电流

Gate-emitterꢀleakageꢀcurrent

ꢀ

100 nA

µs

开通延迟时间(电感负载)

Turn-onꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,26

0,29

ꢀ

µs

上升时间(电感负载)

Riseꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,03

0,05

µs

t_r

t_{d off}

t_f

关断延迟时间(电感负载)

Turn-offꢀdelayꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,42

0,52

µs

下降时间(电感负载)

Fallꢀtime,ꢀinductiveꢀload

I_C= 75 A, V_CE= 600 V

V_GE= ±15 V

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

0,07

0,09

µs

开通损耗能量ꢀ(每脉冲)

Turn-onꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V, di/dt = 2200 A/µs

R_Gon= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

5,00

7,50

E_on

E_off

关断损耗能量ꢀ(每脉冲）

Turn-offꢀenergyꢀlossꢀperꢀpulse

I_C= 75 A, V_CE= 600 V, L_S= 70 nH

V_GE= ±15 V, du/dt = 3200 V/µs

R_Goff= 4,7 Ω

T_vj= 25°C

T_vj= 125°C

6,50

9,50

ꢀ

短路数据

SCꢀdata

V_GE≤ 15 V, V_CC= 900 V

I_SC

ꢀ

V_CEmax= V_CES-L_sCE·di/dt

每个ꢀIGBTꢀ/ꢀperꢀIGBT

t_P≤ 10 µs, T_vj= 125°C

300

结－外壳热阻

Thermalꢀresistance,ꢀjunctionꢀtoꢀcase

R_thJC

R_thCH

T_{vj op}

ꢀ

0,35 K/W

K/W

外壳－散热器热阻

Thermalꢀresistance,ꢀcaseꢀtoꢀheatsink

0,21

_Pasteꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)ꢀꢀꢀ/ꢀꢀꢀꢀλ_greaseꢀ=ꢀ1ꢀW/(m·K)

在开关状态下温度

Temperatureꢀunderꢀswitchingꢀconditions

ꢀ

-40

ꢀ

125

°C

preparedꢀby:ꢀCM

approvedꢀby:ꢀRS

dateꢀofꢀpublication:ꢀ2013-11-04

revision:ꢀ2.0

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
FS75R12KE3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-28
FS75R12KE3G	EUPEC	获取价格	IGBT-Modules
FS75R12KE3G	INFINEON	获取价格	EconoPACK?3?1200 V, 75 A 六单元 IGBT 模块，采用第三代 IG
FS75R12KE3G_03	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FS75R12KS4	EUPEC	获取价格	IGBT-modules
FS75R12KS4	INFINEON	获取价格	EconoPACK? 3 1200V 六单元 IGBT 模块，采用支持高频开关的第二代快速
FS75R12KS4BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-39
FS75R12KT3	EUPEC	获取价格	EconoPACK2 with fast trench/fieldstop IGBT3 and EmCon High Efficiency diode
FS75R12KT3	INFINEON	获取价格	EconoPACK™2 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
FS75R12KT3BOSA1	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ECONOPACK-28

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