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FQP3N60

更新时间： 2024-02-11 00:17:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD /
页数 文件大小 规格书
8页 571K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FQP3N60 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.84
Base Number Matches：1

FQP3N60 数据手册

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April 2000  
TM  
QFET  
FQP3N60  
600V N-Channel MOSFET  
General Description  
Features  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary,  
planar stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the  
avalanche and commutation mode. These devices are well  
suited for high efficiency switch mode power supply.  
•
•
•
•
•
•
3.0A, 600V, R  
= 3.6Ω @V = 10 V  
DS(on) GS  
Low gate charge ( typical 10 nC)  
Low Crss ( typical 5.5 pF)  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
!
"
! "  
"
"
G
!
G
D
TO-220  
FQP Series  
S
!
S
Absolute Maximum Ratings  
ꢀꢀ  
T = 25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
FQP3N60  
600  
Units  
V
V
I
Drain-Source Voltage  
DSS  
- Continuous (T = 25°C)  
Drain Current  
3.0  
A
D
C
- Continuous (T = 100°C)  
1.9  
A
C
I
(Note 1)  
Drain Current  
- Pulsed  
12  
A
DM  
V
E
I
Gate-Source Voltage  
±ꢀ30  
200  
V
GSS  
(Note 2)  
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
AS  
3.0  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.5  
mJ  
V/ns  
W
AR  
dv/dt  
4.5  
P
Power Dissipation (T = 25°C)  
75  
D
C
- Derate above 25°C  
Operating and Storage Temperature Range  
0.6  
W/°C  
°C  
T , T  
-55 to +150  
J
STG  
Maximum lead temperature for soldering purposes,  
T
300  
°C  
L
1/8ꢀ from case for 5 seconds  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Case-to-Sink  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
Typ  
--  
Max  
1.67  
--  
Units  
°CꢁW  
°CꢁW  
°CꢁW  
R
R
R
θ
θ
θ
JC  
CS  
JA  
0.5  
--  
62.5  
©2000 Fairchild Semiconductor International  
Rev. A, April 2000  
12345678

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FQP3N60 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
STP120NF10 STMICROELECTRONICS

功能相似

 N-CHANNEL 100V - 0.009 W - 120A DPAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET
STP55NF06 STMICROELECTRONICS

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 N-CHANNEL 60V - 0.015 ohm - 50A TO-220/TO-220
SPA04N80C3 INFINEON

功能相似

 Cool MOS⑩ Power Transistor

与FQP3N60相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
FQP3N60C FAIRCHILD

获取价格

 		600V N-Channel MOSFET
FQP3N60C ONSEMI

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 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，3 A，3.4 Ω，TO-220
FQP3N80 FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQP3N80C FAIRCHILD

获取价格

 		800V N-Channel MOSFET
FQP3N80C ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，800 V，3.0 A，4.8 Ω，TO-220
FQP3N80J69Z FAIRCHILD

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
FQP3N90 FAIRCHILD

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 		900V N-Channel MOSFET
FQP3P20 FAIRCHILD

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 		200V P-Channel MOSFET
FQP3P20 ONSEMI

获取价格

 		功率 MOSFET，P 沟道，QFET®，-200 V，-2.8 A，2.7 Ω，TO-2
FQP3P50 FAIRCHILD

获取价格

 		500V P-Channel MOSFET

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