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FQP3N60C PDF预览

FQP3N60C

更新时间： 2024-11-17 11:11:23
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 353K
描述
功率 MOSFET，N 沟道，QFET®，600 V，3 A，3.4 Ω，TO-220

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FQP3N60C 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.96
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：150 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：3.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

FQP3N60C 数据手册

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MOSFET - N-Channel QFET)  
600 V, 3.4 W, 3.0 A  
FQP3N60C  
General Description  
This N−Channel enhancement mode power MOSFET is produced  
using ON Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS  
technology. This advanced MOSFET technology has been especially  
tailored to reduce on−state resistance, and to provide superior  
switching performance and high avalanche energy strength. These  
devices are suitable for switched mode power supplies, active power  
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.  
www.onsemi.com  
V
R
MAX  
I MAX  
D
DS  
DS(ON)  
600 V  
3.4 W @ 10 V  
3.0 A  
Features  
• 3.0 A, 600 V, R  
= 3.4 W (Max.) at V = 10 V, I = 1.5 A  
GS D  
• Low Gate Charge (Typ. 10.5 nC)  
DS(on)  
D
• Low C (Typ. 5.0 pF)  
rss  
• 100% Avalanche Tested  
• This is a Pb−Free Device  
G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Symbol  
Parameter  
Drain−Source Voltage  
Gate−Source Voltage  
Drain Current Continuous (T = 25°C)  
Ratings  
600  
30  
Unit  
V
S
V
DSS  
N−Channel MOSFET  
V
GSS  
V
I
D
3
A
C
Continuous (T = 100°C)  
1.8  
12  
C
I
I
Drain Current Pulsed (Note 1)  
A
mJ  
A
G
DM  
D
S
E
AS  
Single Pulse Avalanche Energy (Note 2)  
Avalanche Current (Note 1)  
150  
3
TO−220−3LD  
CASE 340AT  
AR  
E
Repetitive Avalanche Energy (Note 1)  
Peak Diode Recovery dv/dt (Note 3)  
7.5  
4.5  
75  
mJ  
V/ns  
W
AR  
MARKING DIAGRAM  
dv/dt  
P
Power  
Dissipation  
(T = 25°C)  
D
C
Derate above 25°C  
0.62  
W/°C  
°C  
$Y&Z&3&K  
FQP  
3N60C  
T , T  
Operating and Storage Temperature  
Range  
−55 to  
+150  
J
STG  
T
L
Maximum Lead Temperature for  
Soldering, 1/8″ from Case for 5 Seconds  
300  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
$Y  
&Z  
&3  
&K  
= ON Semiconductor Logo  
= Assembly Plant Code  
= Data Code (Year & Week)  
= Lot Code  
1. Repetitive rating: pulse−width limited by maximum junction temperature  
2. L = 30 mH, I = 3 A, V = 50 V, R = 25 W, starting T = 25°C  
AS  
DD  
G
DSS  
J
3. I ≤ 3 A, di/dt ≤ 200 A/ms, V ≤ BV  
, starting T = 25°C  
J
SD  
DD  
FQP3N60C  
= Specific Device Code  
THERMAL CHARACTERITICS  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Unit  
ORDERING INFORMATION  
R
Maximum Thermal Resistance,  
Junction to Case  
1.67  
°C/W  
q
JC  
Device  
FQP3N60C  
Package  
Shipping  
R
Maximum Thermal Resistance,  
Junction to Ambient  
62.5  
°C/W  
q
JA  
TO−220−3LD  
(Pb−Free)  
50 Units/  
Tube  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2020  
1
Publication Order Number:  
June, 2021 − Rev. 6  
FQP3N60C/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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