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FQP3N60C PDF预览

FQP3N60C

更新时间： 2024-11-16 10:23:35
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 738K
描述
600V N-Channel MOSFET

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FQP3N60C 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
雪崩能效等级（Eas）：150 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A
最大漏极电流 (ID)：3 A最大漏源导通电阻：3.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：75 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

FQP3N60C 数据手册

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January 2006  
TM  
QFET  
FQP3N60C  
600V N-Channel MOSFET  
Features  
Description  
•
•
•
•
•
•
3A, 600V, RDS(on) = 3.4Ω @VGS = 10 V  
Low gate charge ( typical 10.5 nC)  
Low Crss ( typical 5 pF)  
These N-Channel enhancement mode power field effect  
transistors are produced using Fairchild’s proprietary, planar  
stripe, DMOS technology.  
This advanced technology has been especially tailored to  
minimize on-state resistance, provide superior switching  
performance, and withstand high energy pulse in the avalanche  
and commutation mode. These devices are well suited for high  
efficiency switched mode power supplies, active power factor  
correction, electronic lamp ballasts based on half bridge  
topology.  
Fast switching  
100% avalanche tested  
Improved dv/dt capability  
D
{
z
ꢀ
ꢁ
z
z
G
{
TO-220  
FQP Series  
G
D S  
{
S
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
FQP3N60C  
Unit  
VDSS  
Drain-Source Voltage  
Drain Current  
600  
V
ID  
- Continuous (TC = 25°C)  
- Continuous (TC = 100°C)  
3
1.8  
A
A
(Note 1)  
(Note 2)  
IDM  
Drain Current  
- Pulsed  
12  
±30  
150  
3
A
V
VGSS  
EAS  
IAR  
Gate-Source voltage  
Single Pulsed Avalanche Energy  
Avalanche Current  
mJ  
A
(Note 1)  
(Note 1)  
(Note 3)  
EAR  
dv/dt  
PD  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
7.5  
4.5  
mJ  
V/ns  
Power Dissipation  
(TC = 25°C)  
75  
W
- Derate above 25°C  
0.62  
W/°C  
T
J, TSTG  
Operating and Storage Temperature Range  
-55 to +150  
300  
°C  
TL  
Maximum Lead Temperature for Soldering Purpose,  
1/8” from Case for 5 Seconds  
°C  
Thermal Characteristics  
Symbol  
Parameter  
Typ.  
Max.  
1.67  
--  
Unit  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient  
--  
0.5  
--  
62.5  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
FQP3N60C REV. A  
1
www.fairchildsemi.com  
12345678

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FQP3N60C 替代型号

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